WAFER GRINDING / BACKGRINDING
晶圓研磨機與晶圓背面減薄製程
廣廉提供晶圓研磨設備之製程需求評估、加工測試、設備選型及導入後技術服務，協助客戶依晶圓材料、尺寸、目標厚度與品質條件規劃適合的研磨方案。
晶圓研磨製程介紹
晶圓在完成前段晶圓製造後，通常需要於封裝前進行背面減薄。研磨製程利用高速旋轉的研磨砂輪逐步去除晶圓背面材料，並控制晶圓厚度、厚度均勻性、平坦度及表面品質，以符合薄型封裝、多晶片堆疊及先進封裝需求。
加工時，晶圓正面通常先貼覆研磨保護膠帶（Back grinding Tape），再吸附固定於多孔陶瓷真空工作盤，使晶圓背面朝上接受研磨。實際製程條件將依晶圓尺寸、材料、元件結構、目標厚度及後續封裝方式調整。
粗磨 Rough Grinding
使用較粗粒度研磨砂輪快速去除大部分材料，以加工效率及穩定移除量為主要考量。
細磨 Fine Grinding
使用較細粒度研磨砂輪改善表面品質並降低研磨損傷，進一步控制最終厚度與均勻性。
去應力 Stress Relief
依產品需求搭配拋光、化學機械製程或其他去應力方式，降低表面損傷與殘留應力。
晶圓研磨應用範圍
晶圓薄化可應用於晶圓製造、功率半導體、記憶體、邏輯元件、影像感測器及先進封裝等領域，常見需求包括：
研磨後段整合
研磨後通常還需搭配晶圓清洗、乾燥、厚度量測、翹曲檢查或去應力製程，以去除加工殘留物並確認晶圓品質。相關站點可依自動化、搬送與製程管理需求進行整合評估。
晶圓研磨設備選型重點
設備評估不應只比較研磨速度，還需同時考量晶圓條件、品質目標、產能及前後段製程銜接。
晶圓與材料條件
晶圓尺寸、初始厚度、材料特性、元件結構、保護膠帶及支撐方式。
加工品質目標
目標厚度、厚度均勻性、平坦度、表面粗糙度、崩邊、翹曲與抗折強度需求。
製程與產能
粗磨與細磨配置、研磨砂輪、加工節拍、換線頻率及單機或自動化生產需求。
清洗與量測整合
研磨後清洗、乾燥、厚度量測、搬送、安全防護及廠務條件的整合方式。
晶圓可達成的最終厚度與品質，會受到材料、晶圓結構、支撐方式、設備配置及後續製程影響，需依樣品與實際加工條件進行評估。
廣廉的技術與服務優勢
廣廉技術服務團隊涵蓋銷售工程師、應用工程師及設備工程師。核心技術人員來自家榮（HappyPole）公司，於半導體設備服務領域累積超過 25 年經驗，具備設備原廠專業訓練基礎，以及多年裝機、移機、調機、維修與現場保養經驗。
團隊熟悉業界主流晶圓研磨、切割及雷射加工設備，可依晶圓尺寸、材料、目標厚度、產能及製程品質需求，協助進行設備介紹、應用評估、加工測試與選型建議。
晶圓研磨設備與製程需求洽詢
如需設備介紹、加工測試、選型或技術服務，歡迎來信： info@ntl.com.tw， 加入 LINE：@neotrend， 或致電：(02)2365-7517。
實際設備型號將依客戶規格與製程需求，進行個別評估與推薦。